无磁聚集离子源：无磁设计不会使磁性碎屑吸附在离子枪上从而影响使用寿命； 不聚集设计使离子束斑大，特别适合减薄功能；设计结构简单，拆卸方便，离子枪易维护。两把离子枪都可独立控制，双枪设计使加工更均匀。

可选离子束能量范围：0-10keV，能量范围广，同时具备高能量(快速制样)和低能量(精细修复)。在减薄时推荐先用高能量可以加快制样速度，再用低能量慢速减薄使薄区更大。

‍样品大薄区：离子枪的设计使离子束斑大,从而使减薄的样品的薄区更大,直径不低于500 nm。

2.鼎竑真空及制冷

内置真空泵组：内置隔膜泵和涡轮分子泵，节约空间，方便放入手套箱使用。

选择性制冷：

• 既可选择内置半导体冷台制冷至-30℃，也可选择液氮制冷。

• 可设置制冷温度-30℃

• 无需液氮，也可实现适当的样品台制冷，适于多数热敏感型材料

• 低温真空保护

3.鼎竑超高性价比

多功能集合：鼎竑GU-AI9000离子减薄仪集合了离子研磨、离子抛光、离子减薄功能于一身。

性价比：鼎竑离子减薄仪的使用成本和维护成本在所有品牌里最低，且售后随时响应。