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电子束光刻机

泽攸科技电子束光刻机——实现优于10nm最小单次曝光线宽。采用场发射电子枪+激光干涉样品台，适用于半导体晶圆、量子芯片、光子器件研发

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产品描述

泽攸科技ZEL304G电子束光刻机（EBL）是一款高性能、高精度的光刻设备，专为半导体晶圆的高速、高分辨率光刻需求设计。该系统采用先进的场发射电子枪，结合一体化的高速图形发生系统，确保光刻质量优异且效率卓越。标配的高精度激光干涉样品台能够满足大行程高精度拼接和套刻需求，为复杂实验和生产任务提供可靠支持。其核心优势在于卓越的成像能力和灵活的扫描模式，可实现多种矢量扫描方式，包括顺序扫描、循环扫描和螺旋型扫描，同时支持多图层自动曝光与场校准功能，满足多样化的工艺要求。此外，设备兼容多种图形文件格式，并可通过选配附件（如UPS不间断电源和主动减震台）进一步提升运行稳定性。无论是新材料研究、前沿物理探索，还是半导体、微电子、光子学及量子技术领域的应用，ZEL304G均表现出色，是科研与工程领域的理想选择。

特点与优势

产品特色

▲ 激光干涉样品台：先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需求

▲ 场发射电子枪：高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证

▲ 图形发生器：在保证超高速扫描的同时实现超高分辨率图案绘制

技术参数

样品台指标

样品台指标
定位精度	0.2mm
最大样品直径	≤200mm
电子枪及成像指标
肖特基场发射电子枪	加速电压20V~30 kV;旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测器
结构分辨率	<10nm
束流密度	> 7000A/cm2
最小束斑尺寸	≤2nm
光刻指标
电子束闸	上升沿<100ns
写视范围	10um x 10um-1mm x 1mm
最小单次曝光线宽	<10nm
扫描速度	25 MHz / 50 MHz
图形发生器参数
控制核心	高性能FPGA	停留时间最小增量	≤1ns
最大扫描速度	50MHz	图形文件格式	GDSII、DXF、BMP等
D/A分辨率	20位	法拉第杯束流测量	包含
最小步距增量	≤0.1nm	临近效应校正	可选项
束闸支持	5V TTL	激光干涉位移台	可选项
扫描方式	顺序扫描（Z型）、循环扫描（S型）、螺旋型扫描等多种矢量扫描模式
曝光模式	支持场校准、场拼接，支持套刻，支持多图层自动曝光
外接通道支持	支持电子束扫描、工件台移动、束闸通断、二次电子检测

应用实例

▲均匀性测试