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2018-06-22
课堂 | 微电子行业SEM样品制备方法及应用
来源: 作者: 浏览:2707
前言本次讲座介绍如何机械研磨、离子束切割抛光方式和超薄切片方式制备扫描电镜样品。徕卡精研一体机TXP可以对样品进行精确定位研磨，高效率的处理以往难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光，确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察，或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割，非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。
本次讲座主要讲述了如何使用EM TXP精研一体机对芯片缺陷点剖析、逐层研磨芯片、精准抛光未包埋芯片断面及精准切割半导体截面缺陷点等操作方法。
TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。
以TXP制备电子样品的应用举例：
芯片缺陷点剖析
样品描述
样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷点的记号笔标记位置）
使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连，为缺陷位置，需要从中间刨开。
（红圈为目标位置，大约 8μm）
在发现了芯片缺陷点之后，就要对样品进行切割研磨处理
第一步
用金刚石锯片切断样品，距离目标位置800μm左右。（TXP精研一体机省去包埋）
（加工角度，样品倾斜30度观察）
第二步
转速1500转/分钟，400#碳化研磨砂纸，研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损，平整无倒角！
（芯片正面观察角度，400#碳化硅砂纸研磨之后）
第三步
转速2300转/分钟，9微米金刚石砂纸研磨，研磨量120μm，研磨之后样品划痕变细。
第四步
转速2300转/分钟，2微米金刚石砂纸研磨，研磨量为60μm，研磨之后样品划痕变细！
第五步
转速2300转/分钟，0.5μm金刚石砂纸研磨，研磨量为20μm，研磨之后样品面到达观察分析要求！
芯片制样结果
（芯片表面观察角度）
（芯片截面观察角度）
在一个小时后，TXP就精准的解决了芯片上的缺陷点，以传统方式的3-4小时相比，大大加强了工作效率。
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